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[发明专利]具有横向半导体异质结的半导体器件和方法-CN201880067904.2有效
发明人：李明洋;黄敬凯;李连忠 -专利权人：阿卜杜拉国王科技大学
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：用于形成具有横向半导体异质结的半导体器件的方法，包括在衬底上与第一金属电极相邻地形成横向半导体异质结的第一金属硫属化物层。第一金属硫属化物层包括与第一金属电极相同的金属，并且第一金属硫属化物层中的至少一些包括来自第一金属电极的金属。与第一金属硫属化物层相邻地形成横向半导体异质结的第二金属硫属化物层。与第二金属硫属化物层相邻地形成第二金属电极。第二金属硫属化物层包括与第二金属电极相同的金属。
具有横向半导体异质结半导体器件方法

[发明专利]双层金属二硫属化物、其合成及其用途-CN202210628359.8在审
发明人：阿韦季克·哈鲁特云岩;李煦凡 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2022-06-06 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：本公开一般涉及双层金属二硫属化物、用于形成双层金属二硫属化物的方法、以及双层金属二硫属化物在量子电子设备中的用途。在一个方面，提供了一种设备。该设备包括栅电极、设置在该栅电极的至少一部分上方的衬底、以及包括第一金属二硫属化物的底层，该底层设置在该衬底的至少一部分上方。该设备还包括顶层，该顶层包括第二金属二硫属化物，该顶层设置在该底层的至少一部分上方，该第一金属二硫属化物和该第二金属二硫属化物相同或不同。该设备还包括设置在该顶层的至少一部分上方的源电极和漏电极。
双层金属二硫属化物合成及其用途

[发明专利]用于制造太阳能电池的光吸收层的金属硫属化物纳米颗粒及其制备方法-CN201480048450.6有效
发明人：朴银珠;尹锡喜;尹锡炫;李豪燮 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2014-09-02 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明涉及形成太阳能电池的光学吸收层的金属硫属化物纳米颗粒，并且更具体地涉及包括第一相和第二相的金属硫属化物纳米颗粒及其制备方法，所述第一相包含铜(Cu)‑锡(Sn)硫属化物，所述第二相包含锌(Zn)硫属化物
用于制造太阳能电池光吸收金属硫属化物纳米颗粒及其制备方法

[发明专利]用于制造太阳能电池光吸收层的三层核‑壳型纳米颗粒及其制造方法-CN201480034054.8有效
发明人：李豪燮;尹锡喜;尹锡炫;朴银珠 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2014-08-01 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于形成太阳能电池的光吸收层的三层核‑壳型纳米颗粒及其制造方法，所述三层核‑壳型纳米颗粒由以下组成包含含铜(Cu)硫属化物的核，和(i)包含含锡(Sn)硫属化物的第一壳以及包含含锌(Zn)硫属化物的第二壳，或(ii)包含含锌(Zn)硫属化物的第一壳及包含含锡(Sn)硫属化物的第二壳。
用于制造太阳能电池光吸收三层纳米颗粒及其方法

[发明专利]多位硫属化物存储装置-CN200480032920.6无效
发明人： S·R·奥夫辛斯基 -专利权人：能源变换设备有限公司
申请日： 2004-08-11 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： H01L47/00 文献下载
摘要：本发明提供了具有多个二进制位或非二进制位存储能力的多端子硫属化物存储单元以及对它们进行编程的方法。存储单元包含孔隙，孔隙包含硫属化物材料以及与硫属化物材料保持电连通的三个或多个电端子。端子的配置勾勒出硫属化物材料的空间上的不同区域，对硫属化物材料的空间相异区域有选择地且独立地编程而提供多位存储。在一对端子之间施加电信号(如电流或电压脉冲)导致硫属化物材料的空间相异部分中某一个部分的结构转换。将电信号施加于硫属化物装置内的不同对端子导致硫属化物材料的不同部分中的结构转换。端子的选择为连续的硫属化物材料体中特定的以及相异的部分提供了选择性编程，其中每个被选择性编程的部分提供了单个二进制或非二进制位的存储。本发明还涉及对具有三个或多个端子的硫属化物存储单元进行编程的方法，该方法用来在二进制或非二进制系统中实现信息的多位存储。
多位硫属化物存储装置

[发明专利]一种用于喷墨印刷的高浓度高稳定过渡金属硫属化合物油墨及其制备方法-CN201810309093.4在审
发明人：陈金菊;刘陈仁浪;冯哲圣;王焱;李培真 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-04-09 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： C09D11/30 文献下载
摘要：本发明属于二维材料制备技术领域，具体涉及一种用于喷墨印刷的高浓度高稳定过渡金属硫属化合物油墨及其制备方法。针对现有的过渡金属硫属化合物纳米薄片油墨浓度低、稳定性差，导致使用和存放不便的问题，本发明的技术方案是，制备方法包括如下步骤：[1]选取两种剥离溶剂，配制成二元良溶剂体系；[2]向二元良溶剂体系中加入水溶性高分子化合物，得到混合溶剂；[3]将通过超声剥离的方法从过渡金属硫属化合物粉体上剥离出过渡金属硫属化合物的纳米薄片；[4]离心分离，取上清液即为过渡金属硫属化合物纳米薄片分散液；[5]加入物性调节剂得到过渡金属硫属化合物油墨本发明适用于过渡金属硫属化合物二维材料的喷墨印刷。
过渡金属硫属化合物油墨纳米薄片喷墨印刷制备二维材料高稳定良溶剂水溶性高分子化合物制备技术领域物性调节剂剥离溶剂超声剥离混合溶剂取上清液分散液粉体剥离

[发明专利]用于制备太阳能电池的光吸收层的前体及其制备方法-CN201580047842.5有效
发明人：尹锡喜;朴银珠;李豪燮;尹锡炫 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2015-10-27 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了用于制备太阳能电池的光吸收层的前体及其制造方法，所述前体包含：(a)聚集相复合体，其包括包含铜(Cu)‑锡(Sn)双金属的第一相和包含含锌(Zn)硫属化物的第二相，或者包括包含Cu‑Sn双金属的第一相、包含含Zn硫属化物的第二相和包含含Cu硫属化物的第三相；或者(b)核‑壳结构纳米颗粒，其包括包含Cu‑Sn双金属纳米颗粒的核和包含含Zn硫属化物或含Zn硫属化物和含Cu硫属化物的壳；或者(c)其混合物
用于制备太阳能电池光吸收及其方法

[发明专利]一种图案化的二维过渡金属硫属化合物纳米材料的制备方法-CN201810056222.3有效
发明人：王学雯;刘锴;侯纪伟;洪圣哲 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2018-01-20 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种图案化的二维过渡金属硫属化合物纳米材料的制备方法。该方法包括以下步骤：制备一基底，该基底具有一基底表面且该基底表面包括一第一图案化表面和一第二图案化表面，形成该第一图案化表面的材料为氧化物或氮化物，形成该第二图案化表面的材料为云母；在所述基底表面形成一单层的二维过渡金属硫属化合物纳米材料；以及将该基底和二维过渡金属硫属化合物纳米材料在含氧气氛中进行退火，且通过控制退火温度使得只有该第二图案化表面的二维过渡金属硫属化合物纳米材料被氧化去除，而该第一图案化表面的二维过渡金属硫属化合物纳米材料形成一图案化的二维过渡金属硫属化合物纳米材料
一种图案二维过渡金属化合物纳米材料制备方法

[发明专利]一种基于吸湿材料的湿度探测装置-CN202210118035.X在审
发明人：刘翡琼 -专利权人：刘翡琼
申请日： 2022-02-08 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明涉及湿度探测领域，具体提供了一种基于吸湿材料的湿度探测装置，凹槽设置在基底的表面，二维过渡金属硫属化合物层置于基底和凹槽上，二维过渡金属硫属化合物层覆盖凹槽，第一电极和第二电极分别置于二维过渡金属硫属化合物层上凹槽的两侧，吸湿材料部置于二维过渡金属硫属化合物层上凹槽的顶部。应用时，将本发明置于待测空间内，通过第一电极和第二电极测量二维过渡金属硫属化合物层导电特性的变化，实现待测湿度探测。本发明具有湿度探测灵敏度高的优点。
一种基于吸湿材料湿度探测装置

[发明专利]一种基于二维材料应变的超声波探测装置-CN202210572777.X在审
发明人：刘翡琼 -专利权人：刘翡琼
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G01H9/00 文献下载
摘要：本发明涉及超声波探测领域，具体提供了一种基于二维材料应变的超声波探测装置，凹槽设置在基底的表面，二维过渡金属硫属化合物层置于基底和凹槽上，二维过渡金属硫属化合物层覆盖凹槽，第一电极和第二电极分别置于二维过渡金属硫属化合物层上凹槽的两侧应用时，将本发明置于待测超声波的空间内，超声波作用到二维过渡金属硫属化合物层上，通过第一电极和第二电极测量二维过渡金属硫属化合物层导电特性的变化，实现超声波探测。本发明具有超声波探测灵敏度高的优点。
一种基于二维材料应变超声波探测装置

[发明专利]垂直铁电场效晶体管构造-CN201480044580.2有效
发明人：卡迈勒·M·考尔道;钱德拉·穆利;古尔特杰·S·桑胡 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2014-07-22 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： H01L27/1159 文献下载
摘要：过渡金属二硫属化物材料围绕所述隔离芯且具有1个单层到7个单层的侧向壁厚度。铁电栅极电介质材料围绕所述过渡金属二硫属化物材料。导电栅极材料围绕所述铁电栅极电介质材料。所述过渡金属二硫属化物材料从所述导电栅极材料立面向内及立面向外延伸。导电接触件直接抵靠所述过渡金属二硫属化物材料的侧向外侧壁，所述过渡金属二硫属化物材料为：a)从所述导电栅极材料立面向内，或b)从所述导电栅极材料立面向外。本发明还揭示额外实施例。
垂直电场晶体管构造包括一对侧向相对

[发明专利]一种电致伸缩电场测量装置-CN202111009448.6在审
发明人：彭彦莉 -专利权人：彭彦莉
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： G01R29/12 文献下载
摘要：本发明涉及电场测量领域，具体提供了一种电致伸缩电场测量装置，凹槽设置在基底的表面，电致伸缩材料部设置在凹槽内，二维过渡金属硫属化合物层固定在基底上，二维过渡金属硫属化合物层覆盖凹槽，二维过渡金属硫属化合物层与电致伸缩材料部的顶部接触，第一电极和第二电极分别置于二维过渡金属硫属化合物层上凹槽的两侧。应用时，将本发明置于待测电场中，通过第一电极和第二电极测量二维过渡金属硫属化合物层导电特性的变化，实现电场测量。本发明能够实现更高灵敏度的电场测量，在电场测量领域具有良好的应用前景。
一种伸缩电场测量装置

[发明专利]包含基本上用介电材料封装的存储材料的半导体装置，以及相关的系统和方法-CN201810994834.7有效
发明人： P·凡蒂尼;A·皮罗瓦诺 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：所述堆叠结构中的每一者包括：第一导电材料；硫属化物材料，其在所述第一导电材料上方；第二导电材料，其在所述硫属化物材料上方；以及第一介电材料，其介于所述硫属化物材料与所述第一导电材料之间且介于所述硫属化物材料与所述第二导电材料之间所述半导体结构进一步包括在所述硫属化物材料的至少侧壁上的第二介电材料。所述硫属化物材料可基本上由一或多个介电材料封装。本发明揭示相关的半导体结构及相关方法。
包含基本上用介电材料封装存储半导体装置以及相关系统方法

[发明专利]存储器单元阵列-CN201810948208.4有效
发明人：卡迈勒·M·考尔道;钱德拉·穆利;古尔特杰·S·桑胡 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2014-07-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H10B53/20 文献下载
摘要：过渡金属二硫属化物材料围绕所述隔离芯且具有1个单层到7个单层的侧向壁厚度。铁电栅极电介质材料围绕所述过渡金属二硫属化物材料。导电栅极材料围绕所述铁电栅极电介质材料。所述过渡金属二硫属化物材料从所述导电栅极材料立面向内及立面向外延伸。导电接触件直接抵靠所述过渡金属二硫属化物材料的侧向外侧壁，所述过渡金属二硫属化物材料为：a)从所述导电栅极材料立面向内，或b)从所述导电栅极材料立面向外。本发明还揭示额外实施例。
存储器单元阵列

[发明专利]分层电阻可变存储装置和制造方法-CN200580018247.5无效
发明人： K·A·坎贝尔;J·李;A·麦蒂尔;J·T·穆尔 -专利权人：微米技术有限公司
申请日： 2005-03-24 - 公布日： 2007-05-16 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：按照本发明，所提供的电阻可变存储元件具有至少一个含金属层(18)以及顶部和底部电极(14，22)，所述含金属层(18)优选地为硒化银层，位于两个硫属化物玻璃层(17，20)之间，所述两个硫属化物玻璃层(在至少第二硫属化物玻璃层(20)的上面设置金属层(50)，其优选地为银层，并且在所述银层上面布置导电粘合层(30)。按照本发明的另一个实施例，所提供的电阻可变存储元件具有第一硫属化物玻璃层(17)，银层(40′)位于所述第一硫属化物玻璃层上面，硒化银层(18)位于所述银层上面，第二硫属化物玻璃层(20)位于所述硒化银层上面，并且可选地使第二银层位于所述第二硫属化物玻璃层上面。
分层电阻可变存储装置制造方法

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